Archivio gennaio 2011

Nuovi transistor: la molibdenite come alternativa al silicio

Molibdenite

Molibdenite

Una recente scoperta fatta dal Politecnico di Losanna (Svizzera) potrebbe giocare un ruolo importante nel futuro dell’elettronica, consentendo lo sviluppo di transistor molto più piccoli ed efficienti di quelli presenti attualmente sul mercato.

Una ricerca condotta dal Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures (LANES), ha rivelato infatti che la Molibdenite MoS2 è un semiconduttore dalle grandi potenzialità. Questo materiale, presente abbondantemente in natura, è frequentemente utilizzato come elemento di lega negli acciai e come additivo nei lubrificanti, ma fino ad oggi non ne era mai stato preso in considerazione un possibile impiego nell’elettronica.

La Molibdenite è un materiale a struttura bidimensionale, che si presenta sotto forma di fogli estremamente sottili e facili da utilizzare nella nanotecnologia. Rispetto al silicio, che ha una struttura tridimensionale, la Molibdenite offre un maggiore potenziale per la fabbricazione di transistor, LED e celle solari di dimensioni ridottissime. Basti pensare che in un foglio da 0,65 nanometri di spessore di Molibdenite gli elettroni possono possono muoversi facilmente come in un foglio di 2 nanometri di spessore di  silicio (in ogni caso, occorre sottolineare che al momento non è possibile fabbricare un foglio di silicio sottile come un foglio monostrato di MoS2).

Il vantaggio più sorprendente offerto dalla molibdenite è tuttavia la possibilità di essere utilizzata per fabbricare transistor con un ridottissimo consumo di energia in standby , inferiore di 100.000 rispetto ai transistor tradizionali di silicio. Questo è teoricamente possibile perché il gap di banda elettronica, caratteristica fondamentale dei semiconduttori, nel caso della molibdenite è di 1,8 eV (elettronvolt), un valore ideale per consentire il controllo del comportamento elettrico del transistor, che può essere acceso e spento facilmente e con ridotto dispendio energetico. Da questo punto di vista il materiale identificato dal Politecnico di Losanna appare molto più promettente del grafene, che essendo un “semi-metallo” non possiede naturalmente una gap di banda, cosa che ne limita fortemente l’impiego nella costruzione dei transistor.

Fonte: ScienceDaily

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LIAM: al via il laboratorio collaborativo di Crit per l’automazione industriale

Ne fanno parte Sitma, Ima, Sacmi, Selcom e Tetra Pak Packaging Solutions. L’inizio dell’attività è fissato per il 1° febbraio 2011 nella sede del Crit.

Fonte: EmmeWeb

Ai blocchi di partenza Liam, il progetto che porterà alla realizzazione di un laboratorio dedicato all’automazione per il packaging. Le aziende coinvolte in Liam sono Sitma, Ima, Sacmi, Selcom e Tetra Pak Packaging Solutions. L’obiettivo di questo gruppo di imprese, costituitosi grazie al supporto di Crit Research, è realizzare un laboratorio industriale di proprietà congiunta, finalizzato alla ricerca e allo sviluppo di tecnologie, strumenti e attrezzature innovative.

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Tecnologia e futuro prossimo: l’Elettronica Organica.

Negli ultimi anni, l’interesse nei confronti dell’Elettronica Organica è enormemente cresciuto sia a livello di ricerca accademica che industriale. A tal proposito, Confindustria Emilia-Romagna ha organizzato, il 16 dicembre scorso a Bologna, in collaborazione con ENEA e Alma Graduate School, un workshop sull’Elettronica Organica, tematica affrontata in precedenza anche da CRIT Research con un incontro tra aziende e tecnici ENEA presso la sede di Vignola. Gli incontri hanno avuto come obbiettivo quello di definire una linea di ricerca, sviluppo e sperimentazione che sia di interesse per le aziende e che potrebbe essere finanziata nell’ambito del bando “Laboratorio Pubblico-Privato”, pubblicato dal MIUR e con scadenza il 15 febbraio 2011.

Quello dell’Elettronica Organica è di un tema di interesse strategico per le imprese dell’Emilia-Romagna, dato il peso delle ricadute tecnologiche che può determinare in molteplici ambiti applicativi: dalle macchine per il packaging al biomedicale, dal tessile/moda all’energia, alla chimica, ai materiali, alle macchine da stampa.

L’Elettronica Organica è infatti una piattaforma tecnologica emergente che consente la realizzazione di componenti e sistemi sottili, leggeri, flessibili, a basso costo, dal ridotto impatto ambientale.  Si basa sull’azione combinata di nuovi materiali  funzionali ad alte prestazioni e processi di produzione ad alta velocità, su larga area e basse temperature, compatibili anche con le plastiche, la carta e i tessuti. Ha la potenzialità di integrare una vasta gamma di nuove funzionalità e rappresenta un’opportunità tecnologica che apre la strada a nuove applicazioni e consente l’integrazione di componenti elettronici eterogenei.

Alcuni esempi sono: imballaggi intelligenti, dispositivi a Radio Frequenza (RFID), celle solari flessibili, illuminazione a basso consumo, dispositivi diagnostici, batterie stampabili, display flessibili, smart card, sensori e alimentatori integrati nei film polimerici.

La nuova tendenza alla ricerca in questo ambito è diretta conseguenza dei numerosi vantaggi che l’Elettronica Organica ha nei confronti della tradizionale elettronica inorganica. Tali vantaggi consistono principalmente nella possibilità di realizzare dispositivi su film sottili e flessibili, su larga area e con bassi costi di realizzazione e produzione, sfruttando le caratteristiche dei materiali polimerici utilizzati.

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